¿Cómo distinguir los transistores PNP y NPN?

1. Estructura básica de los transistores PNP y NPN
Los transistores PNP están compuestos por dos materiales semiconductores de tipo P que se intercalan con un material semiconductor de tipo N, formando una secuencia de disposición "PNP". En esta estructura, la región de tipo P actúa como emisor (E) y colector (C), mientras que la región de tipo N actúa como base (B). Los transistores PNP permiten que la corriente fluya desde el emisor al colector cuando están polarizados en directa (es decir, el voltaje del emisor es mayor que el voltaje de la base, y el voltaje de la base es mayor que el voltaje del colector).
A diferencia de los transistores PNP, los transistores NPN están compuestos por dos materiales semiconductores de tipo N que se intercalan con un material semiconductor de tipo P, formando una secuencia de disposición "NPN". Aquí, la región de tipo N sirve como emisor y colector, mientras que la región de tipo P sirve como base. Los transistores NPN permiten que la corriente fluya desde el emisor al colector cuando están polarizados en directa (es decir, el voltaje del emisor es menor que el voltaje de base, y el voltaje de base es menor que el voltaje del colector).
2. Diferencias en los principios de funcionamiento.
Cuando la base de un transistor PNP está polarizada positivamente con respecto al emisor y el colector está polarizado negativamente con respecto a la base, los huecos (portadores de carga positiva) en el material de tipo P del emisor son atraídos hacia la región de tipo N de la base, formando una corriente de base. Al mismo tiempo, una parte de estos huecos cruzará la unión base-colector y entrará en la región de tipo P del colector, formando una corriente de colector. El principio de funcionamiento de los transistores PNP depende del proceso de flujo y recombinación de huecos.
El principio de funcionamiento de los transistores NPN se basa en el flujo de electrones (portadores de carga negativa). Cuando la base de un transistor NPN está polarizada positivamente con respecto al emisor y el colector está polarizado positivamente con respecto a la base, los electrones del material de tipo N del emisor son atraídos hacia la región de tipo P de la base, donde se recombinan con huecos para formar una corriente de base. Al mismo tiempo, algunos de estos electrones cruzarán la unión base-colector y entrarán en la región de tipo N del colector, formando una corriente de colector. Los transistores NPN logran la amplificación de corriente y el control de conmutación a través del flujo y la recombinación de electrones.
3. Métodos prácticos para distinguir transistores PNP y NPN
Observar la disposición de los pines
Aunque las formas de empaquetado de los transistores de diferentes fabricantes pueden variar, en términos generales, la disposición de pines de los transistores PNP y NPN sigue ciertas reglas. Para los transistores encapsulados TO-92 comunes, la disposición de pines de los transistores PNP es generalmente (de izquierda a derecha): emisor (E), base (B), colector (C); La disposición de pines de los transistores NPN es generalmente (de izquierda a derecha): emisor (E), base (B), colector (C). Sin embargo, esta regla no es absoluta, por lo que en aplicaciones prácticas, es necesario combinar otros métodos para juzgar.
Medir con un multímetro
Un multímetro es una de las herramientas más directas y utilizadas para distinguir entre transistores PNP y NPN. Al configurar el multímetro en el modo de prueba de diodos (o modo similar), se puede medir la caída de voltaje entre los pines del transistor para determinar su tipo. El método específico es el siguiente:
Conecte la sonda roja (terminal positivo) del multímetro a uno de los pines del transistor y la sonda negra (terminal negativo) a los otros dos pines en secuencia. Observe los cambios en la lectura del multímetro.
En el caso de los transistores PNP, cuando la sonda negra entra en contacto con el emisor y la sonda roja con la base, el multímetro debería mostrar una pequeña caída de tensión directa (aproximadamente de {{0}},6 V a 0,7 V), lo que indica que la unión emisor-base está en un estado de polarización directa. Cuando la sonda negra entra en contacto con el colector, debido al estado de polarización inversa de la unión colector-base, la lectura del multímetro debería ser cercana al infinito.
En el caso de los transistores NPN, la situación es la opuesta. Cuando la sonda roja entra en contacto con el emisor y la sonda negra con la base, el multímetro debería mostrar una pequeña caída de tensión directa; cuando la sonda roja entra en contacto con el colector, la lectura del multímetro también debería ser cercana al infinito.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1020-a-92mod.html