¿Cómo probar transistores NPN con un multímetro?

1, preparación antes de la prueba
Elija un multímetro adecuado: asegúrese de que el multímetro tenga la función de probar diodos, resistencias y voltajes, ya que todas estas funciones se utilizan al probar transistores NPN.
Comprenda las características básicas de los transistores NPN: Los transistores NPN constan de tres pines: emisor (E), base (B) y colector (C). La corriente fluye del colector al emisor y la corriente de base controla la magnitud de la corriente del colector.
Prepare el entorno de prueba: garantice un entorno de prueba seguro y libre de estática, y prepare las herramientas de prueba y los materiales auxiliares necesarios, como cables, resistencias, etc.
2, pasos de prueba
1. Determinar la base
En primer lugar, es necesario determinar la base del transistor NPN. Debido a que el valor de resistencia de la base suele ser menor que el valor de resistencia entre el emisor y el colector, la base se puede determinar midiendo la resistencia.
Ajuste el multímetro al modo de medición de resistencia (como R × 100 o R × 1k).
Utilice cualquier sonda (suponiendo que sea una sonda negra) para hacer contacto con un pin del transistor y la otra sonda (sonda roja) para hacer contacto secuencialmente con los otros dos pines.
Al observar los resultados de la medición, si el valor de resistencia de una medición es significativamente menor que el de la otra (generalmente menos de unos pocos cientos de ohmios), es probable que el pin con el que hace contacto la sonda negra sea la base. En este punto, puede cambiar la sonda y medir nuevamente para confirmar.
2. Pruebe la unión PN
Después de determinar la base, el siguiente paso es probar si la unión PN del transistor NPN es normal.
Configure el multímetro en el modo de medición de diodos (generalmente etiquetado con un diodo o con un icono de diodo).
Conecte la sonda roja a la base y luego conecte la sonda negra al emisor y al colector en secuencia.
Para los transistores NPN, el voltaje de conducción directa (generalmente entre {{0}}.5 V y 0,8 V) debe ser detectable entre el emisor base y el colector base, mientras que no debe haber conducción entre el colector emisor.
3. Mida el factor de amplificación actual.
El factor de amplificación actual es uno de los parámetros importantes de los transistores NPN, que representa la capacidad de la corriente base para controlar la corriente del colector.
Configure el multímetro en el modo de medición de voltaje CC (generalmente marcado como V o mV).
Conecte la sonda roja a la base y la sonda negra al colector.
Conecte suavemente el emisor y el colector con un cable (tenga cuidado de no tocarlos directamente con las manos para evitar interferencias), dándole al transistor una pequeña corriente de base.
Lea el valor de voltaje en el multímetro y multiplique este valor por el factor de amplificación de corriente del transistor (valor) para obtener la corriente del colector. Dado que no existe un método directo para medir el valor beta en este momento, generalmente es necesario estimarlo consultando el manual de datos del transistor o realizando otras pruebas.
3, interpretación de parámetros
Voltaje de conducción directa: el voltaje de conducción directa medido entre el emisor de la base y el colector de la base debe estar cerca del voltaje de encendido del transistor (generalmente 0.5V a 0.8V), lo que indica que el La unión PN es normal.
Factor de amplificación actual (valor): aunque es difícil medir el valor directamente, se puede estimar indirectamente mediante el método anterior. Cuanto mayor sea el valor beta, mayor será la capacidad de amplificación actual del transistor.
4, Precauciones
Conexión correcta de los pines: durante el proceso de prueba, es necesario asegurarse de que los pines del transistor estén conectados correctamente; de ​​lo contrario, se pueden producir resultados de prueba inexactos o daños al transistor.
Elija el rango apropiado: seleccione el rango de multímetro apropiado de acuerdo con los requisitos de prueba para mejorar la precisión de la medición.
Evite interferencias electrostáticas: durante el proceso de prueba, se debe prestar atención a evitar interferencias electrostáticas para evitar dañar el transistor.
Circuito de protección: Durante el proceso de prueba, se debe garantizar que el circuito no esté encendido para evitar daños causados ​​por un mal funcionamiento.
Efecto de la temperatura: el rendimiento de los transistores puede verse afectado por la temperatura, por lo que al realizar pruebas a diferentes temperaturas, se debe prestar atención al impacto de la temperatura en los resultados de la medición.

https://www.trrsemicon.com/transistor/npn-general-Purpose-transistor.html