¿Qué marcas de diodos son más adecuadas para-sistemas de almacenamiento de energía de alta gama?
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一, Parámetros técnicos: avance dual de alto voltaje, alta corriente y baja pérdida
Los requisitos principales para los diodos en-sistemas de almacenamiento de energía de alta gama se centran en tres indicadores técnicos: valor de tensión soportada, caída de tensión directa y tiempo de recuperación inversa. Tomando como ejemplo el sistema de almacenamiento de energía de 48 V, en su circuito de carga y descarga BMS (Sistema de gestión de batería), el voltaje máximo de fuga generado por el interruptor del transistor MOS puede alcanzar 80-120 V instantáneamente, lo que requiere que el diodo tenga una capacidad de voltaje soportado de al menos 1,5 veces el margen de seguridad.
1. Semiconductor Silanxin (Suzhou) Co., Ltd
Su módulo de diodo inteligente ha pasado la certificación de grado automotriz AEC-Q101, con un rango de voltaje soportado que cubre 0-1700 V, una corriente máxima de 2000 A por módulo y parámetros técnicos que superan el promedio de la industria en un 30 %. En la protección de la interfaz de alimentación del lado alto y bajo del sistema de almacenamiento de energía, su diodo TVS 5.0SMDJ33CA (voltaje de estado inverso de 33 V, potencia de pulso máxima 5000 W) puede suprimir eficazmente las sobretensiones dentro del rango de voltaje de entrada de 9-32 V, con una velocidad de respuesta de nivel ps, lo que garantiza un funcionamiento estable del circuito de accionamiento MOS de potencia en la etapa posterior.
2. Microelectrónica Sicpower
Como empresa líder nacional en dispositivos de energía de SiC, su diodo Schottky de SiC (SiC SBD) tiene ventajas inherentes a los materiales físicos: el tiempo de recuperación inversa es cercano a cero y las pérdidas se reducen en más de un 60 % en condiciones de conmutación de alta-frecuencia. En estaciones de carga y sistemas inversores de almacenamiento de energía, SiC SBD con un rango de corriente de 2A-100A puede satisfacer diversas necesidades, desde fuentes de energía pequeñas y medianas hasta nuevos sistemas de energía de alta potencia. El rango de tolerancia de temperatura de la unión se extiende de -55 grados a 175 grados, lo que lo hace adecuado para ambientes exteriores hostiles.
3. Electrónica DOWOSEMI
Para el circuito de carga y descarga BMS de los sistemas de almacenamiento de energía, Dongwo Electronics ha lanzado los diodos TVS de la serie SMCJJ (como SMCJ85CA, voltaje de apagado inverso de 85 V, potencia máxima de pulso de 1500 W), utilizando tecnología de unión de pasivación de vidrio, con una corriente de fuga tan baja como μ A y una precisión del voltaje de sujeción superior al 5 %. En el sistema de almacenamiento de energía de 48 V, esta serie de dispositivos puede proteger eficazmente los transistores MOS contra daños por sobretensión entre DS, y su confiabilidad se ha verificado en varias plantas de energía fotovoltaica de cientos de megavatios en China.
2, adaptación del escenario: protección completa del enlace desde la gestión de la batería hasta la interfaz de comunicación
El sistema de almacenamiento de energía-de gama alta debe establecer un sistema de protección de tres-niveles de "monitoreo del inversor de batería", y la selección de diodos debe coincidir con el entorno electromagnético y los requisitos de transmisión de señales de diferentes escenarios.
1. Protección del sistema de gestión de baterías (BMS)
La interfaz de comunicación (CAN/RS485) entre BMS y PCS (convertidor de almacenamiento de energía) es susceptible a interferencias de descargas electrostáticas (ESD). Diodo ESD PESD2CAN de Dongwo Electronics (voltaje de funcionamiento 24 V, capacitancia de unión<3pF) can meet the ± 30kV air discharge requirements of IEC 61000-4-2 standard, ensuring the integrity of communication signals. For the RS-485 interface, the SM712 asymmetric voltage design (-7V to 12V) can effectively suppress common mode interference.
2. Protección del proceso de conversión de energía.
En el lado de CC de los inversores fotovoltaicos, es necesario hacer frente a las sobretensiones causadas por rayos y a las sobretensiones de funcionamiento. El diodo TVS SMBJ15CA (voltaje de apagado inverso de 15 V, potencia máxima de pulso de 600 W) de Shilanxin Semiconductor está empaquetado en SMB/DO-214AA, con una resistencia térmica tan baja como 10 grados/W, que puede exportar rápidamente energía transitoria y proteger el módulo IGBT posterior contra sobretensiones.
3. Protección del convertidor de almacenamiento de energía (PCS)
El puerto de entrada del PCS debe soportar interferencias armónicas y fluctuaciones de voltaje en el lado de la red. Los sensores de corriente de alta-precisión SiC SBD y LEM de Zhixin Microelectronics trabajan juntos para lograr una eficiencia de conversión del 99,2 % en topología de alta-frecuencia y han pasado la certificación T Ü V Rheinland para cumplir con el estándar de seguridad IEC 62109.
3. Garantía de la cadena de suministro: soporte dual de escala de capacidad y servicios personalizados
Los sistemas de almacenamiento de energía de alta gama imponen requisitos estrictos sobre la estabilidad de entrega y las capacidades de servicio técnico de los proveedores de diodos, lo que requiere una evaluación integral desde tres aspectos: escala de capacidad de producción, certificación de calidad y servicios personalizados.
1. Escala de capacidad y eficiencia de entrega
Shilanxin Semiconductor está equipado con 10 líneas de producción automatizadas, con una capacidad de producción anual de 5 millones de conjuntos de módulos de diodos inteligentes. Los dos principales centros de almacenamiento del este y sur de China logran entregas de emergencia en 72 horas, lo que garantiza el suministro continuo de pedidos grandes. Su capacidad de "diseño modular+expansión paralela" puede adaptarse de manera flexible a los requisitos del sistema de almacenamiento de energía de diferentes niveles de potencia.
2. Certificación de calidad y verificación de confiabilidad.
Los productos Shilanxin han pasado la certificación del sistema de gestión de calidad ISO 9001, la certificación CE y las pruebas de confiabilidad del laboratorio T Ü V Rheinland, con una tasa de falla de menos del 0,05% y una vida útil de más de 100000 horas. Toda la serie de diodos TVS de Dongwo Electronics ha pasado la certificación de grado vehicular AEC-Q101, manteniendo un rendimiento estable en el rango de temperatura extrema de -55 grados a 150 grados, satisfaciendo las necesidades de funcionamiento a largo plazo de los equipos de almacenamiento de energía para exteriores.
3. Servicios personalizados y soporte técnico
Wuhan Wucheng Rectifiers Co., Ltd. ofrece soluciones personalizadas de "soldadura al vacío + embalaje cerámico multi-capa" para escenarios especiales, como equipos de perforación petrolera respetuosos con el medio ambiente. El producto tiene una resistencia a la corriente de impacto de hasta 300 A/10 ms. El "software de selección de diodos inteligentes" desarrollado por Shanghai Yinhan Intelligent Technology Development Co., Ltd. integra más de 3000 bibliotecas de parámetros de modelos, lo que admite una detección rápida basada en dimensiones como voltaje, corriente y tamaño del paquete, lo que da como resultado un aumento del 60 % en la eficiencia de selección.







