MOSFET de potencia 10N60

HOJA DE DATOS DEL MOSFET DE POTENCIA 10N60,10N60:

Características

RDS bajo (activado)

Carga de compuerta baja (típica Qg=31.4 nC)

100% probado por UIS

RoHS

Aplicaciones

Corrección del factor de poder.

Fuentes de alimentación de modo conmutado.

Controlador LED.

Índices absolutos máximos

MOSFET 10N60: Transistores de potencia de alto rendimiento

El MOSFET 10N60 es un transistor de potencia de alto rendimiento fabricado con tecnología VDMOS planar avanzada. Esto da como resultado un dispositivo que ofrece baja resistencia de conducción, rendimiento de conmutación superior y alta energía de avalancha.

Una de las características clave de este MOSFET es su bajo RDS(on), que ayuda a garantizar una transferencia de potencia eficiente al minimizar las pérdidas de potencia. Además, tiene una carga de compuerta baja (Qg típico=31.4 nC), lo que significa que se puede controlar fácilmente mediante una señal de bajo voltaje.

Para garantizar un rendimiento y una confiabilidad óptimos, cada MOSFET 10N60 se prueba al 100 % para UIS (conmutación inductiva sin sujeción) para garantizar que pueda soportar de manera segura transitorios de alto voltaje y proteger contra daños causados ​​por picos de voltaje inesperados.

El MOSFET 10N60 cumple con la normativa RoHS, lo que significa que está libre de materiales peligrosos y cumple con los estándares ambientales establecidos por la Unión Europea.

En general, el MOSFET 10N60 es una excelente opción para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia, como fuentes de alimentación, control de motores, inversores de alta frecuencia y otras aplicaciones de grado industrial. Con su rendimiento y confiabilidad superiores, este MOSFET sin duda lo ayudará a lograr resultados óptimos en sus proyectos de electrónica de potencia.

FRQ:

P: ¿Cuánto tiempo dura el envío?

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