Descripción
TRANSISTOR NPN PBSS8110T, PBSS8110T HOJA DE DATOS:
CARACTERÍSTICAS
Tipo complementario FMMT593
CALIFICACIONES MÁXIMAS (Ta=25 grado a menos que se indique lo contrario)
Símbolo Parámetro Valor Unidad
Voltaje colector-base VCBO 120 V
Voltaje colector-emisor VCEO 100 V
Voltaje base-emisor VEBO 5 V
Corriente del colector de CI 1000 mA
Disipación de potencia del colector de PC 250 mW
Resistencia térmica RΘJA desde la unión hasta el ambiente 500 grados/W
Temperatura de unión Tj 150 grados
Temperatura de almacenamiento de Tstg -55-+150 grado
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25 grado a menos que se especifique lo contrario)
Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Mín. Tipo Máx. Unidad
Tensión de ruptura colector-base V(BR)CBO IC=100μA, IE=0 120 V
Tensión de ruptura colector-emisor V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 100 V
TRANSISTORES NPN PBSS8110T
El PBSS8110T es un transistor NPN diseñado para su uso en diversos circuitos electrónicos. Es un tipo complementario del transistor FMMT593 y tiene una serie de características que lo hacen ideal para su uso en una variedad de aplicaciones.
Una de las características clave del PBSS8110T es su alto voltaje colector-base de 120 V. Esto significa que puede soportar aplicaciones de alto voltaje sin sufrir averías ni fallas. Además, el transistor tiene un alto voltaje colector-emisor de 100 V, lo que aumenta aún más su versatilidad en aplicaciones electrónicas.
El voltaje de emisor-base del PBSS8110T es de 5 V, que es relativamente bajo en comparación con otros transistores. Esto lo hace ideal para su uso en aplicaciones donde se requiere un funcionamiento a bajo voltaje o donde la señal de entrada es demasiado baja para activar otros tipos de transistores.
El PBSS8110T es capaz de manejar una corriente de colector de hasta 1000 mA, lo que lo hace adecuado para su uso en una variedad de aplicaciones de alta corriente. Además, su capacidad máxima de disipación de potencia de 250 mW garantiza que pueda funcionar de manera eficiente incluso en condiciones de alta carga.
Como transistor NPN, el PBSS8110T se utiliza en una amplia gama de circuitos electrónicos. Algunas de las aplicaciones más comunes incluyen circuitos amplificadores de potencia, circuitos de conmutación y circuitos reguladores de voltaje. También se puede utilizar en circuitos amplificadores de audio y video, osciladores y otros dispositivos electrónicos.
El transistor PBSS8110T NPN es un componente versátil y confiable que se puede utilizar en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Gracias a sus altos valores nominales de voltaje y corriente, es ideal para su uso en una variedad de aplicaciones de alta potencia. Ya sea que esté diseñando un nuevo circuito electrónico o simplemente necesite reemplazar un transistor defectuoso, el PBSS8110T es una excelente opción.
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